Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

Диффузионная длина

Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз

Источник: ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа